L'effet de magnétorésistance géante (GMR) fait référence à un changement significatif de la résistivité électrique des matériaux magnétiques sous un champ magnétique externe. Ce phénomène de mécanique quantique se produit dans des structures en couches minces en couches composées de couches ferromagnétiques et non ferromagnétiques alternées. Lorsque les moments magnétiques des couches ferromagnétiques sont alignés parallèlement, la diffusion dépendante du spin des porteurs de charge est minimisée, ce qui entraîne la résistance la plus faible. Inversement, lorsque les moments magnétiques sont anti-parallèles, la diffusion dépendante du spin est maximisée, conduisant à la résistance la plus élevée.
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